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詳細(xì)介紹
日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備
日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體間自然氧化蝕刻設(shè)備
間歇式自然氧化膜去除設(shè)備RISE TM -300是一種間歇式預(yù)清洗設(shè)備,可以去除LSI深接觸底部等難處理的自然氧化膜。兼容300mm目標(biāo)晶圓。
實(shí)現(xiàn)高吞吐量和低 CoO
良好的蝕刻均勻性(< ±5%/批次)和再現(xiàn)性
干法
無損壞(遠(yuǎn)程等離子體和低溫工藝)
與傳統(tǒng)濕法工藝相比,自對準(zhǔn)接觸電阻降低至 1/2
設(shè)備布局靈活
強(qiáng)調(diào)可維護(hù)性
50 300mm晶圓批量加工
用于形成自對準(zhǔn)觸點(diǎn)的預(yù)處理
電容器形成過程中的預(yù)處理
外延生長過程中的預(yù)處理
模型 | RISETM-300 | |
等離子源 | 微波電源 | |
設(shè)備配置 | EFEM + LL + PM | |
板尺寸 | Φ300mm | |
板臺 | 陶瓷舟(50只/批) | |
排氣系統(tǒng) | 機(jī)械增壓泵+DRP | |
控制系統(tǒng) | FAPC+TFT觸摸屏 | |
氣體導(dǎo)入系統(tǒng) | 3個系統(tǒng) | |
應(yīng)用 | SAC、電容器和外延生長過程中的預(yù)處理 |
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